28nm設計環境立上げプロジェクト試作テーマ募集

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28nm設計環境立上げプロジェクト試作テーマ募集

1. 本プロジェクトの目的

　半導体製品は、あらゆる機器に組込まれ、社会システムにおけるIT化の進展、通信機器、自動車、情報家電や医療、バイオといった日本の主要産業の国際競争力に必要不可欠なものになっています。このため、STARCでは新たな回路アーキテクチャの創造や人材育成を目的として、日本国内の大学との産学連携を推進してきました。大学における半導体研究では、既存の技術を用いた教育的側面を持つ半導体試作も必要ですが、新たな課題の発掘や高い技術水準の研究を進めるには、先端技術による半導体試作も重要です。本プロジェクトでは、大学における先端28nm世代の設計試作環境立上げを行い、そのテストラン試作により得られたノウハウを蓄積して、将来の産学連携による共同研究のテーマを多様化し、活性化をはかることを目的とします。そして、本テストランの終了後は、通常の試作ランとしてVDECメニューに組み入れ、広くユーザから申し込みを受けることを計画しています。
　なお、本プロジェクトはSTARC共通プログラム参画株主会社の支援を得て、STARCがVDECの協力を得てプロジェクトを推進するものです。

2. 応募方法

募集対象者は、国内の大学研究者です。

募集要領を参照し、応募用紙を提出して下さい。

　募集要領　

　　　応募用紙　

応募締切は、2013年5月27日(月)です。奮って応募をお願いします。