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STARC推奨「0.13μm共通デザインルール」

新聞発表内容

平成12年9月20日
株式会社 半導体理工学研究センター(STARC)
0.13μmプロセスの推奨デザインルールを制定
 株式会社 半導体理工学研究センター(社長:石橋 正)は、LSIの最先端プロセス(0.13
μmプロセス)に対するSTARC推奨デザインルールを制定いたしました。
 このたび制定しましたSTARC推奨デザインルールは、LSI設計に必要なデザイン
ルールの内、二次元デザインルールとSPICEパラメータという2つの基本データを
セットにして統一したものです。これによりメーカーを越えたIP(既存設計資産)の再利
用・流通が容易になります。
 LSIの高集積化により、システム全体を1チップで実現するSoC(System on a Chip)
が可能となりました。SoCを短期間に効率よく設計するにはIPの活用が不可欠であり
IPの再利用・流通化を推進する必要があります。しかし、LSIを製造する技術は同一
世代プロセスでも各社ごとに異なっているため、他社用に設計されたIPを再利用するに
は、性能や特性の検証に多大な時間と労力が必要となります。
 二次元デザインルールとSPICEパラメータのセットを統一できれば、IPの性能や
特性の予測が容易になります。したがって各社の製造技術の良さを生かしながらIP再利
用・流通化を推進する事が出来ます。この新しい考え方に基づきSTARCは、国内半導
体メーカ各社の協力を得て、最先端プロセス(0.13μmプロセス)に対する各社の二次元
デザインルールとSPICEパラメータを統一する新たな手法を開発し、STARC推奨
デザインル−ルを制定しましたので、ここに公表することにいたしました。
 STARC推奨デザインルールは、各社の製造技術の動向を考慮して決められており、
多くの半導体メーカが利用出来るものです。 
 STARC推奨デザインルールは世界中に公開する予定であり、半導体メーカだけでな
く、システムメーカ、ライブラリベンダー、IPベンダーなど、IPに関係する企業で広
く活用されることを期待しています。
用語解説
●二次元デザインルール:ICを構成する各層上に形成される種々の図形が守るべき二次元
 の位置関係(隣接関係、包含など)に関するルール。
●SPICEデータ:MOSトランジスタ等の非線形デバイスの動作特性を表現するモデル
 に与えられるパラメータ(物理的サイズ、トランジスタ基本特性値、物理現象の係数)。
 STARC推奨デザインルールを構成するSPICEパラメータは、この一部であるトラ
 ンジスタ基本特性値に関するものである。
 
 
補足説明資料 ----- slide display   pdf file for print

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連絡先 :
 株式会社 半導体理工学研究センター (STARC)
 Semiconductor Technology Academic Research Center
 E-mail : [email protected]